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阜新:欢乐的秧歌扭起来(图)

2019-09-23 15:45 来源:中国网江苏

  阜新:欢乐的秧歌扭起来(图)

  两年后的1918年8月,红楼建成,用作校部、图书馆和文科教室,称为“北大一院”,而更早的公主府校区则被称为“北大二院”。桂军组成的第七军在北伐中表现最为突出,战斗力最强。

此中有真意,欲辩已无言。毛泽东说过:“妇女在抗战中有非常重大的作用:教育子女,鼓励丈夫,教育群众,均需通过妇女;只有妇女都动员起来,全中国人民也必然会动员起来了。

  陈胜听了后,就下令将伙伴杀掉了。”以上各种“饭银”,名目多样。

  因此,既可以是精读,也可以是泛读,但更多的是研读。  京西宾馆是北京的一个政治地标,一个“见证奇迹”的历史之地,它具有同人民大会堂、钓鱼台国宾馆等建筑同等的政治意义。

现在你应该向你的组织声明承认错误,请求同志们批评,虚心地接受大家的意见,使相互之间的关系正常起来。

  同年7月,他再赴上海出席党的二大。

  他急切要求跟白求恩相见。所谓经常性工作就是要把精兵简政精神在日常工作中贯彻始终。

  蒋介石、李宗仁、冯玉祥和阎锡山来到北京西山碧云寺,向孙中山的灵柩宣告北伐完成。

  一是干部特殊化问题比较突出。医护人员被称为“白衣战士”,“白大褂”是这个职业的代名词。

    第三,人民负担加重。

  乾隆二十一年(1756年),再次疏解闲散旗人,原定计划三千户,分为六旗,每年派遣一旗,每旗500户,仍是按旗摊派,而且规定要“择其族众,有眷属者拣派”,眷属一律不准留京。

  惊魂未定的孙权终于遇到接应的部队,才转危为安。“多彩中国”特邀召集人、青年艺术家赵羽彤主持了论坛。

  

  阜新:欢乐的秧歌扭起来(图)

 
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氧化物阻变存储器机理与性能调控

获奖项目:氧化物阻变存储器机理与性能调控

  主要完成人:刘明(中国科学院微电子研究所),刘琦(中国科学院微电子研究所),管伟华(中国科学院微电子研究所),龙世兵(中国科学院微电子研究所),王艳(中国科学院微电子研究所)

  推荐单位:中国科学院

  获奖等级:国家自然科学奖二等奖

  项目简介:

高性能数据存储是信息科学的重要基础,氧化物阻变存储器(Oxide based Resistive Random Access Memory: O-RRAM)具有优异的存储性能,是国际微电子学科的研究前沿和热点。O-RRAM的阻变机理和性能调控涉及氧化还原、载流子迁移等物理化学效应导致的材料成分、结构和能带变化,是一个挑战性难题,解决该难题将为发展新原理的信息存储奠定科学基础。

该项目在国家自然基金杰青和创新群体、科技部973等项目持续支持下,揭示了O-RRAM的高低阻态转变机理,发现了存储性能调控规律,提出了提高调控参数一致性的方法。主要科学发现如下:

1、在纳米尺度揭示了阻变机理 发展了器件原位表征的透射电子显微镜(TEM)制样方法,在纳米尺度下观察到O-RRAM导电通路形貌、结构、成分、生长/断裂等微观信息,揭示了氧化物导电桥阻变存储器中电子传输对阻变的作用机理,建立了局域氧化/还原效应主导的导电通路生长/断裂模型。惠普实验室首席科学家J. J. Yang等在Nature Nanotechnology综述中四次引用代表性论文1,并评价“在纳米尺度实时观测到阻变过程中材料成分和结构变化是非常有价值的”。

2、发现了功能层掺杂调控存储性能的规律 揭示了通过功能层掺杂降低阴阳离子(氧空位、金属离子等)形成能和迁移势垒的调控机理,发现了功能层阴阳离子分布均匀性对存储性能的作用规律,首次提出了功能层掺杂的存储性能调控方法,解决了原有O-RRAM良率低、性能差的难题。台湾交通大学曾俊元教授(IEEE Fellow)在综述中用近二页篇幅引用代表性论文4-5,并评价“刘研究组首次提出掺杂纳米晶改善阻变存储器性能的方法”。

3、提出了局域电场增强调控器件参数一致性的方法 阐明了导电通路随机生长是器件参数离散的物理本质,发现了功能层电场强度与导电通路生长速率的指数规律,提出了增强局域电场实现导电通路可控生长的方法,完成了器件制备,大幅度提高了器件参数的一致性。纽约州立大学石溪分校Likharev教授(APS/IEEE Fellow)在综述中引用代表性论文8,并评价在参数一致性的问题上“中科院(该项目组)等是最值得关注的”。

8篇代表性论文被SCI他引750次,20篇主要论文被SCI他引1158次。在EDL/TED(该领域最权威期刊)、Adv. Mater.等期刊共发表相关论文68篇,二项工作入选ITRS(国际半导体发展路线图),6篇论文入选ESI高被引论文榜。作为典型进展被莱布尼兹奖获得者Waser、纽约州立大学石溪分校卓越教授Likharev等知名学者写入15本著作和40篇综述。基于该项目的科学发现,成功研制了基于HfO2的1kb O-RRAM,电子学会组织的鉴定会结论为“电路性能国际领先”。

全部成果由该项目组独立完成。第一完成人是杰青和创新群体负责人,973项目首席科学家,第二、四完成人获国家优秀青年基金,第二完成人获卢嘉锡青年人才奖。第一完成人在重要国际会议做邀请报告30次。该项目主要成果获得2015年度中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖。

 

 项目主要完成人

 

阻变存储器简介

 

阻变模型与机理

 

性能调控规律

 

参数一致性方法

 


基于HfO2的1kb RRAM

 

 

 

 

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